Summary
Photoconductivity (PC), photovoltaic and photoelectromagnetic (PEM) measurements are a very useful method for transport parameter investigation, particularly when the high resistivity of the materials makes difficult direct measurements. We have applied these effects to determine some transport parameters (τ,L) of the layered compounds GaSe, PbI2, HgI2 at room temperature. The experimental results have been compared with different theoretical models of phototransport suggested for anisotropic compounds.
Riassunto
La misura della fotoconducibilità (PC), dell’effetto fotovoltaico e dell’effetto fotoelettromagnetico (PEM) sono un metodo molto utile per lo studio dei parametri di trasporto in particolare quando l’alta resistenza dei materiali ne rende difficile le misure dirette. Si sono applicati questi effetti per determinare alcuni parametri di trasporto (τ,L) nei composti stratificati GaSe, PbI2 ed HgI2 a temperatura ambiente. Si sono confrontati i risultati sperimentali con diversi modelli teorici di fototrasporto suggeriti per composti anisotropi.
Резюме
Измерения фотопроводимости, фотогальванического и фотоэлектромагнитного эффектов представляют удобный метод для исследования транспортных параметров, в частности, когда высокое сопротивление материалов делает затруднительным непосредственные измерения. Эти эффекты используются для определения некоторых транспортных параметров (τ,L) слоистых соединений GaSe, PbI2, HgI2 при комнатной температуре. Экспериментальные результаты сравниваются с различными теоретическими моделями для фототранспортных явлений, предложенными для анизотропных соединений.
Similar content being viewed by others
References
A. C. Beer:Galvanomagnetic Effects in Semiconductors (New York, N. Y., and London, 1963);S. M. Ryvkin:Photoelectric Effect in Semiconductors (New York, N. Y., 1964).
H. Buillard:Phys. Rev.,94, 1564 (1954);M. Cardona andW. Paul:Journ. Phys. Chem. Sol.,7, 127 (1958).
V. K. Subashiev:Sov. Phys. Solid State,6, 1545 (1965);S. S. Li andH. F. Tseng:Phys. Rev. B,4, 490 (1971).
C. Hilsum:Proc. Phys. Soc.,74, 81 (1959);J. R. Dixon:Phys. Rev.,107, 374 (1957);M. P. Mikhailova, D. N. Nasledov andS. Slobodchiokov:Sov. Phys. Solid State,4, 899 (1962);R. A. Laff andH. Y. Fan:Phys. Rev.,121, 53 (1961);S. W. Kurnick andR. N. Zitter:Journ. Appl. Phys.,27, 278 (1956).
E. S. Artobolevskaya, E. A. Afanes’eva, L. K. Vodop’yanov andV. P. Sushkov:Sov. Phys. Semicond.,1, 1531 (1968);S. Mora andN. Romeo:Lett. Nuovo Cimento,15, 599 (1976);K. Maeda andA. Kasami:Journ. Phys. Soc. Japan,24, 831 (1968).
W. van Roosbroeck:Phys. Rev.,101, 1713 (1956);W. Gartner:Phys. Rev.,105, 823 (1957).
F. Adduci, A. Cingolani, M. Ferrara, A. Minafra andP. Tantalo:Journ. Appl. Phys.,45, 5000 (1974).
F. Adduci, A. Cingolani, M. Ferrara, M. Lugarà andA. Minafra:Sol. State Comm.,18, 13 (1976).
F. Adduci, A. Cingolani, M. Ferrara, M. Lugarà andA. Minafra:Journ. Appl. Phys.,48, 342 (1977).
F. Adduci, M. Ferrara andP. Tantalo:Phys. Stat. Sol.,18 (a), K35 (1973).
F. Adduci, A. Cingolani, M. Ferrara, A. Minafra andI. M. Catalano:Sol. State Comm.,19, 1111 (1976).
J. F. Schetzina:Phys. Rev. B,11, 4994 (1975).
C. Manfredotti, R. Murri andL. Vasanelli:Nucl. Instr. Meth.,115, 349 (1974);A. M. Mancini, C. Manfredotti, R. Murri, A. Rizzo, A. Quirini andL. Vasanelli:IEEE Trans. Nucl. Sci., NS23, 189 (1976);G. L. Miller:IEEE Trans. Nucl. Sci., NS19, 251 (1972).
M. B. Tubbs:Phys. Stat. Sol.,67 (b), 11 (1975), and references therein.
Author information
Authors and Affiliations
Additional information
Traduzione a cura della Redazione.
Переведено редакцией.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Adduci, F., Catalano, I.M., Ferrara, M. et al. Photoelectromagnetic effect in layered compounds. Nuov Cim B 38, 319–326 (1977). https://doi.org/10.1007/BF02723501
Received:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02723501