Optical constants of a model semiconductor

Summary

From the computed absorption coefficient resulting from band-to-band transitions in a simple model semiconductor, and application of the Kramers-Kronig dispersion relation, the real and imaginary parts of the optical index are separated and the reflection coefficient is computed.

Riassunto

Dal coefficiente di assorbimento calcolato risultante dalle transizioni banda-banda in un semplice modello di semiconduttore e dall’applicazione della relazione di dispersione di Kramers-Kronig, si separano la parte reale e la parte immaginaria dell’indice ottico e si calcola il coefficiente di riflessione.

Реэюме

С помощью вычисленного козффициента поглошения, полученного иэ эон-эонных переходов в простом модельном полупроводнике, и применяя дисперсионное соотнощение Крамерса-Кронига, раэделяются реальная и мнимая части оптической постоянной, и вычисляется козффициент отражения.