Direct observations of ion damage in germanium

Summary

Observations of ion damage and successive annealing have been carried out, on Ge, directly inside the electron microscope. Starting from the spot-like defects in the just damaged samples, two types of annealing structures have resulted, depending on the initial irradiation dose. To check the nature of some defects quench-anneal tests have been brought about. Both interstitial and vaeancy-type defects have been ascertained.

Riassunto

Mediante osservazioni in trasmissione al microscopio elettronico su sezioni sot-tili (111) di germanio si sono presi in esame il danno di radiazione ed i relativi fenomeni di rinvenimento. Per l’irraggiamento si è usato a tale scopo il flusso di ioni O⁻ provenienti dal fllamento stesso. I difetti, risolvibili a forte ingrandimento in piccoli punti, condu-oono durante il rinvenimento a due strutture ben difierenziate a seconda Che si parta da campioni che abbiano ricevuto una bassa o un’alta dose di radiazione. Tali strutture sono state confrontate con quelle di tempra e conseguente rinvenimento ad alta tempe-ratura ottenute su campioni trattati fuori dal microscopio elettronico. I difetti dovuti al danno di radiazione, analizzati col metodo del contrasto di diffrazione sono inter-pretabili in termini di difetti intrinseci ed estrinseci. Sembra pertanto accertata la presenza di loops di vacanze e di interstiziali contemporaneamente.