Behaviour of light impurity elements in the production of semiconductor silicon

Résumé

Par l'emploi de l'analyse par activation aux particules chargées on mesure la concentration du carbone, de l'azote et de l'oxygène dans différentes qualités de silicium pour semi-conducteur. On détermine les solubilités de ces trois éléments dans le silicium solide et liquide au point de fusion. On dessine les courbes d'étalonnage pour la spectrométrie à infra-rouges du carbone et de l'oxygène dans le silicium. On montre que l'utilisation simultanée de l'analyse par activation et de la spectrométrie est efficace pour l'étude de l'état de dispersion des quantités minimes de carbone et d'oxygène dans du silicium de grande pureté. On a aussi étudié, à l'aide d'une nouvelle technique des radiotraceurs, l'évaporation des impuretés légeres du silicium en fusion. Le comportement du carbone, de l'azote et de l'oxygène dans la production du silicium pour semi-conducteur, a donc été éclairci.