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Activation analysis of impurity distributions in critical layers of semiconductors

  • Dosage de Quelques Eléments dans les Matériaux Semi-conducteurs
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Journal of Radioanalytical Chemistry Aims and scope Submit manuscript

Résumé

On rapporte les recherches faites sur les couches épitaxiques déposées sur des substrats dopés en arsenic, antimoine et phosphore. On étudie les couches critiques par analyse par activation et autoradiographie. On détermine les répartitions des concentrations des éléments dopants et des traces d'impuretés les plus fréquentes, telles que l'or, le cuivre et le sodium, dans la couche superficielle et dans l'interface film-substrat des couches homoépitaxiques de silicium. Dans les conditions expérimentales données, on trouve que la concentration contaminante minimum décelable est d'environ 1013 atomes/cm3.

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Authors and Affiliations

  1. Research Institute for Telecommunication, Budapest, (Hungary)

    H. Rausch

  2. Tungsram Research Laboratories, Budapest, (Hungary)

    T. Bereznai

  3. Central Research Institute for Physics, Budapest, (Hungary)

    J. Bogáncs

Authors
  1. H. Rausch
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  2. T. Bereznai
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  3. J. Bogáncs
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Rausch, H., Bereznai, T. & Bogáncs, J. Activation analysis of impurity distributions in critical layers of semiconductors. J. Radioanal. Chem. 19, 77–85 (1974). https://doi.org/10.1007/BF02515269

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF02515269

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