Direct phonon-assisted transitions near the fundamental absorption edge in CuInSe₂

Summary

The absorption spectrum near the fundamental absorption edge of an-type CuInSe₂ single crystal grown by the Bridgman method has been studied at 100 and 300 K. An absorption edge corresponding to the direct-band-gap transition is observed at about 1 eV. An additional absorption is observed at lower energies ((0.93÷0.95) eV) and is attributed to direct transitions assisted by long-wave-length optical phonons.

Riassunto

Lo spettro di assorbimento vicino al bordo di assorbimento fondamentale di un cristallo singolo di tipon di CuInSe₂, cresciuto col metodo di Bridgman, è stato studiato a 100 e 300 K. Si osserva un bordo di assorbimento in corrispondenza della transizione del gap di banda diretta a circa 1 eV. Un ulteriore assorbimento è osservato a energie inferiori ((0.93÷0.95) eV) ed è attribuito a transizioni dirette alla presenza di fononi ottici a grande lunghezza d'onda.

Резюме

При 100 К и 300 К исследуется спектр поглощения вблизи основного края поглощения монокристалла CuInSe₂ n-типа, выращенного по методу Ъридгмана, Вблизи 1 эВ обнаружен край поглощения, соответствующий прямому переходу. Дополнительное поглощение наблюдается при меньших энергиях ((0.93÷0.95) эВ) и приписывается прямым переходом, связанным с длинноволновыми оптическими фононами.