Reflectance magnetocircular-dichroism spectra and electronic structures of CdCr₂Se₄

Summary

Reflectance magnetocircular-dichroism spectra of a ferromagnetic semiconductor CdCr₂Se₄ were measured for temperatures between 4.2 K and 157 K. Off-diagonal elements of the dielectric tensor were calculated from the measured spectra. A number of fine structures was resolved, the energy position of which was plotted against temperature. It is found that there are two red-shifting structures: one at 1.1 eV (the well-known absorption edge) and the other at 1.9 eV. Other structures show slight blue-shift. These energy positions were compared with the band structure calculated by means of the self-consistentDV-Xα technique.

Riassunto

Gli spettri di riflettanza del dicroismo magnetocircolare di un semiconduttore ferromagnetico CdCr₂Se₄ sono stati misurati per temperature tra 4.2 K e 157 K. Gli elementi fuori dalla diagonale del tensore dielettrico sono stati calcolati dagli spettri misurati. Si è determinato un certo numero di strutture fini, la cui posizione energetica è stata rappresentata in un grafico rispetto alla temperatura. Si è trovato che ci sono due strutture che si spostano nel rosso: una a 1.1 eV (il ben noto picco di assorbimento) e l'altra a 1.9 eV. Altre strutture mostrano un leggero spostamento nel blu. Queste posizioni di energia sono state confrontate con la struttura di banda calcolata mediante la tecnica autoconsistenteDV-Xα.

Резюме

В области температур от 4.2 К до 157 К измеряются спектры отражательной способности ферромагнитного полупроводника CdCr₂Se₄. Для измеренных спектров вычисляются недиагональные элементы диэлектрического тензора. Разрешается ряд тонких структур, энергетическое положение которых вычерчивается в зависимости от температуры. Обнаружено, что существуют две структуры, обладающие красным смещением; одна при 1.1 эВ (хорошо известный край поглощения) и другая при 1.9 эВ. Другие структуры обладают голубым смещением. Энергетические положения зтих структур сравниваются с зонной структурой, вычисленной с помощьюDV-Xα метода.