Advertisement

Il Nuovo Cimento D

, Volume 2, Issue 6, pp 1798–1802 | Cite as

Preparation of ferromagnetic semiconducting HgCr2Se4 thin films by molecular-beam deposition

  • K. Masumoto
  • N. Koguchi
  • S. Takahashi
Article

Summary

Polycrystalline thin films of the ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4 have been prepared for the first time on insulating MgAl2O4 single-crystal substrates by molecular-beam deposition and subsequent annealing with HgSe. The optimum conditions for preparing single-phase thin films of HgCr2Se4 were obtained. The magnetoresistance and Hall effects of these films were measured from 77 to 295 K in magnetic fields up to 1.19·106 A/m. It becomes evident that these electrical properties of the films are affected by the interdiffusion layers in the films near the substrates or the magnetically disordered layers such as amorphous or grain boundaries in the films.

PACS. 75.50

Studies of specific magnetic materials 

Riassunto

Film policristallini sottili di semiconduttore HgCr2Se4 sono stati preparati per la prima volta su substrati isolanti di cristalli singoli MgAl2O4 mediante deposizione a raggi molecolari e successiva tempra con HgSe. Si sono ottenute le condizioni ottimali per preparare film sottili a fase singola di HgCr2Se4. La resistenza magnetica e gli effetti di Hall di questi film sono stati misurati da 77 a 295 K in campi magnetici fino a 1.19·106 A/m. Diventa evidente che queste proprietà elettriche dei film sono influenzate da strati di interdiffusione nei film vicino ai substrati o dagli strati in disordine magnetico come i bordi amorfo o del grano in film.

Резюме

Впервые приготовлены поликристаллические тонкие пленки ферромагнитных полупроводников HgCr2Se на непроводящих монокристаллических подложках MgAl2O4 с помощью осаждения молекулярного пучка и последующего отжига с HgSe. Определяются оптимальные условия для приготовления тонких пленок HgCr2Se4, имеющих единственную фазу. Измеряются, магниторезистивный эффект и эффект Холла для этих пленок в области температур от 77 до 295 К и при магнитных полях вплоть до 1.19·106 А/м. Отмечается, что на электрические свойства этих пленок влияют слои в пленках вблизи подложки или магнитноразупорядоченные слои, такие как аморфные или зернистые границы в пленках.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur

  1. (1).
    T. Arai, M. Wakaki, S. Onari, K. Kudo, T. Sato andT. Tsushima:J. Phys. Soc. Jpn.,34, 68 (1973).CrossRefGoogle Scholar
  2. (2).
    N. Koguchi andK. Masumoto:J. Phys. Chem. Solids,41, 1279 (1980).CrossRefGoogle Scholar
  3. (3).
    C. Haas:Phys. Rev.,168, 531 (1968).CrossRefADSGoogle Scholar

Copyright information

© Società Italiana di Fisica 1983

Authors and Affiliations

  • K. Masumoto
    • 1
  • N. Koguchi
    • 1
  • S. Takahashi
    • 1
  1. 1.National Research Institute for MetalsTokyoJapan

Personalised recommendations