Summary
The normal incidence reflectivity spectrum of excitons in GaAs/Ga1−x Al x As multiple quantum wells is calculated within the local response approximation. It is shown that the reflectivity lineshape strongly depends on the sample geometry. Using realistic parameters of a multiple quantum well structure, we obtain an excellent fit of the experimental reflectivity curve, thus giving exciton energies, oscillator strengths and exciton broadening parameters.
Riassunto
Lo spettro di riflettività ad incidenza normale degli eccitoni nei pozzi quantistici multipli di GaAs/Ga1−x Al x As è calcolato nell’ambito dell’approssimazione locale. Si mostra con la forma della linea di riflettività dipende in gran misura dalla forma geometrica del campione. Usando parametri realistici di una struttura a pozzi quantistici multipli, si ottiene un’ottima approssimazione della curva di riflettività sperimentale, che fornisce così energie eccitoniche, forze dell’oscillatore e parameri di ampliamento eccitonico.
Резюме
В рамках приближения линейного отклика вычисляется спекрт отражательной способности экситонов при нормальном падении для множественных квантовых ям в GaAs/Ga1−x Al x As. Показывается, что форма линии отражательной способности сильно зависит от геометрии образца. Используя реалистические параметры структуры множественных квантовых ям, мы получаем хорошее соответствие с экспериментальной кривой для отражательной способности. Получаются энергии экситонов, силы осцилляторов и парам⪟тры экситонного уширения.
Similar content being viewed by others
References
See, for instance, the special issue of IEEE, QW-22 (1986).
Excitons in Confined Systems, edited byR. Del Sol, D’Andrea andA. Lapiccirella:Springer Proceedings in Physics, Vol.25 (1988).
Y. Chen:Nuovo Cimento D (submitted).
K. Cho:J. Phys. Soc. Jpn.,55, 4113 (1986).
Excitons, Modern Problems in Condensed Matter Sciences, Vol.2, edited byE. I. Rashba andM. D. Sturge (North Holland, Amsterdam, 1982).
V. M. Agranovich andV. L. Ginzburg:Crystal Optics with Spatial Dispersion and Excitons (Springer, Berlin, Heidelberg, New York, N.Y., 1984).
For a recent review, seeF. Bassani andL. C. Andreani: inProc. S.I.F., Course XCVI, edited byV. M. Grassano andN. Terzi (Amsterdam, 1987).
Y. Chen, B. Gil andH. Mathieu:Ann. Phys. (Paris),12, 109 (1987).
A. D’Andrea andR. Del Sol:Phys. Rev. B,25, 3714, (1982);32, 2337 (1985).
M. Born andE. Wolf:Principle of Optics (Pergamon Press, London, 1957).
L. Greene, K. K. Bajai andD. E. Phelps:Phys. Rev. B,29, 1807 (1984);L. Greene andK. K. Bajaj:Phys. Rev. B,31, 913 (1985).
L. C. Andreani andA. Pasquarello:Europhys. Lett.,613, 259 (1988).
Y. Chen, B. Gil, P. Lefebre andH. Mathieu:Phys. Rev. B,37, 6429 (1988).
X. L. Zhang, D. Heiman, B. Lax andF. A. Chambers:Appl. Phys. Lett.,52, 287 (1988).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Chen, Y., Cingolani, R. & Massies, J. Exciton reflectivity of GaAs/Ga1−x Al x As multiple quantum wells. Il Nuovo Cimento D 11, 1049–1055 (1989). https://doi.org/10.1007/BF02455356
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02455356