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Thermische Effekte in elektrischen Kontakten zwischen identischen Halbleitern

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Physik der kondensierten Materie

Abstract

The conduction mechanism in heavily-loaded electric contacts between identical semiconductors has not until now been clearly understood. It is here shown by means of theoretical and experimental investigations on symmetrical silicon contacts that the occurrence of a limiting voltage and a hysteresis loop is caused exclusively by Joule heating of the constriction resistance. Contact barriers, which may be present, do not influence the characteristic at high voltages. The interpretation of E. Holm is thus confirmed.

Zusammenfassung

Über den Leitungsmechanismus in hochbelasteten elektrischen Kontakten zwischen identischen Halbleitern herrschte bisher immer noch Unklarheit. Anhand von theoretischen und experimentellen Untersuchungen an symmetrischen Siliziumkontakten wird hier gezeigt, daß die Existenz einer Restspannung und das Auftreten einer Hysteresis allein durch die Erwärmung des reinen Konstriktionswiderstandes bedingt sind. Eventuell vorhandene Kontaktbarrieren haben im Gebiet hoher Spannungen keinen Einfluß auf die Kennlinie. Die Auffassung von E. Holm wird damit bestätigt.

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Literatur

  1. Zückler, K.: Halbleiterprobleme III. Braunschweig: F. Vieweg, p. 207 (1956).

    Google Scholar 

  2. ——: Halbleiterprobleme V. Braunschweig: F. Vieweg, p. 191 (1960).

    Google Scholar 

  3. Kurtschatow, I. V., Kostina, T. Z., Rusinow, W. L.: Phys. Z. Sowiet-Union7, 129 (1935).

    Google Scholar 

  4. Braun, A., Busch, G.: Helv. Phys. Acta15, 571 (1942).

    Google Scholar 

  5. Dilworth, C. C.: Proc. Phys. Soc. (London)60, 315 (1948).

    Article  MATH  Google Scholar 

  6. Mitchell, E. W. J., Sillars, R. W.: Proc. Phys. Soc. (London)B 62, 509 (1949).

    ADS  Google Scholar 

  7. Holm, R.: J. appl. Phys.22, 569 (1951).

    Article  MATH  Google Scholar 

  8. Holm, E.: J. appl. Phys.23, 509 (1952).

    Article  Google Scholar 

  9. Heywang, W.: Z. angew. Phys.8, 398 (1956).

    Google Scholar 

  10. Parnell, T. M.: Ph. D. Thesis, University of London (1953).

  11. Stratton, R.: Proc. Phys. Soc. (London)B 69, 513 (1956).

    ADS  MATH  Google Scholar 

  12. Goffaux, R.: Silicon Carbide. New York: Pergamon Press, p. 462 (1960).

    Google Scholar 

  13. Zückler, K.: Z. angew. Phys.8, 34 (1956).

    Google Scholar 

  14. Busch, G.: Halbleiterprobleme III. Braunschweig: F. Vieweg, p. 229 (1956).

    Google Scholar 

  15. Schade, H.: Phys. kondens. Materie3, 237 (1965).

    Google Scholar 

  16. Kohlrausch, F.: Ann. Phys. (Leipzig)1, 132 (1900).

    MATH  Google Scholar 

  17. Diesselhorst, H.: Ann. Phys. (Leipzig)1, 312 (1900).

    MATH  Google Scholar 

  18. Holm, R.: Electric Contacts Handbook. Berlin: Springer, p. 10 und p. 95 (1958).

    Google Scholar 

  19. Greenwood, J. A., Williamson, J. B. P.: Proc. Roy. Soc.246, 13 (1958).

    ADS  Google Scholar 

  20. Stuckes, A. D.: Proc. Phys. Soc. (London)B 66, 570 (1953).

    ADS  Google Scholar 

  21. Sim, A. C.: J. Electronics and Control3, 139 (1957).

    Google Scholar 

  22. Morin, F. J., Maita, J. P.: Phys. Rev.96, 28 (1954).

    Article  ADS  Google Scholar 

  23. Irvin, J. C.: Bell Syst. Techn. J.41, 387 (1962).

    Google Scholar 

  24. Ludwig, G. W., Watters, R. L.: Phys. Rev.101, 1699 (1956).

    Article  ADS  Google Scholar 

  25. Herring, C.: Bell Syst. Techn. J.34, 237 (1955).

    Google Scholar 

  26. Debye, P. P., Conwell, E.: Phys. Rev.93, 693 (1954).

    Article  ADS  Google Scholar 

  27. Bullis, W. M., Brewer, F. H., Kolstad, C. D., Swartzendruber, L. J.: Solid-State Electronics11, 639 (1968).

    Article  Google Scholar 

  28. Fulkerson, W., Moore, J. P., Williams, R. K., Graves, R. S., McElroy, D. L.: Phys. Rev.167, 765 (1968).

    Article  ADS  Google Scholar 

  29. Slack, G. A.: J. appl. Phys.35, 3460 (1964).

    Article  Google Scholar 

  30. Arasli, D. G., Aliev, M. I.: Phys. status solidi21, 643 (1967).

    Google Scholar 

  31. Carslaw, H. S., Jaeger, J. C.: Conduction of Heat in Solids. Oxford: University Press, p. 255 (1959).

    Google Scholar 

  32. Kohler, M., Zielasek, G.: Abh. Braunschw. Wiss. Ges.4, 117 (1952).

    Google Scholar 

  33. Gerlich, D., Abeles, B., Miller, R. E.: J. appl. Phys.36, 76 (1965).

    Article  Google Scholar 

  34. Holm, R.: Electric Contacts. Stockholm: Hugo Gebers Förlag, Appendix IV (1946).

    Google Scholar 

  35. Baer, Y.: Phys. kondens. Materie8, 1 (1968).

    Google Scholar 

  36. Hertz, H.: Ges. Werke I. Leipzig: Barth (1895).

    Google Scholar 

  37. Gmelins Handbuch der anorganischen Chemie, System Nr. 15, Teil B. Weinheim/Bergstr.: Verlag Chemie, p. 55 (1959).

  38. Hooper, R. C., Cunningham, J. A., Harper, J. G.: Solid-State Electronics8, 831 (1965).

    Article  Google Scholar 

  39. Gunn, J. B.: Progress in Semiconductors, Vol. 2. London: Heywood, p. 211 (1957).

    Google Scholar 

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  1. Laboratorium für Festkörperphysik, Eidgenössischen Technischen Hochschule Zürich, CH-8049, Zürich, Schweiz

    P. Wyssmann

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  1. P. Wyssmann
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Wyssmann, P. Thermische Effekte in elektrischen Kontakten zwischen identischen Halbleitern. Phys kondens Materie 14, 275–306 (1972). https://doi.org/10.1007/BF02422686

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