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Elektrische Kontakte zwischen identischen Halbleitern

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Physik der kondensierten Materie

Zusammenfassung

Die Strom-Spannungs-Charakteristiken von Kontakten zwischen gereinigten und oxydierten Silizium-Oberflächen wurden im Temperaturbereich von 200° bis 500°K gemessen.

Die experimentellen Ergebnisse sind erklärbar unter der Annahme einer durch Zwischenschichtzustände verursachten Potentialbarriere am Kontakt, deren Höhe vom jeweiligen Zustand der Oberflächen abhängt. Die quantitative Auswertung im Rahmen eines theoretischen Modells vonStratton hat ergeben, daß der Schottky-Effekt den Ladungsträgertransport durch den Kontakt wesentlich bestimmt.

Résumé

Les caractéristiques courant-tension de contacts entre des surfaces de silicium nettoyées ou oxydées ont été mésurées entre 200° et 500°K.

Les résultats expérimentaux sont explicables, si l’on admet au contact une barrière de potentiel provenant des états d’interface et dont la grandeur dépend de l’état de la surface. L’analyse quantitative utilisant le modèle théorique deStratton a montré, que l’effet Schottky est prédominant dans le transport de charges au travers du contact.

Abstract

The current-voltage characteristics of contacts between flash-cleaned and also between oxidized silicon surfaces have been determined in the temperature range from 200° to 500°K.

The results are interpreted under the assumption that a potential barrier caused by interface states exists within the contact region, and that the height of this barrier is given by the state of the contacting surfaces. Using the theory developed byStratton, the charge carrier transport is shown to be predominantly determined by the Schottky effect.

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Authors and Affiliations

  1. Laboratorium für Festkörperphysik, Eidgenössischen Technischen Hochschule, Zürich

    H. Schade

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  1. H. Schade
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Schade, H. Elektrische Kontakte zwischen identischen Halbleitern. Phys kondens Materie 3, 237–262 (1965). https://doi.org/10.1007/BF02422608

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