Das elektrisch erregte Phosphoreszenzleuchten dünner Schichten von Al₂O₃ in Abhängigkeit von Fremdstoffzusätzen

Zusammenfassung

Auf Al läßt sich durch elektrolytische Formierung eine äußerst homogene und dünne Oxydschicht erzeugen. Dar bei Feldstärken von der Größenordnung 10⁷ Volt/cm durch sie hindurchfließende Elektronenstrom regt diese Schicht zum Phosphoreszenzleuchten an. — Es wird untersucht, wie sich die Helligkeit dieses Leuchtens ändert, wenn die Oxydschicht auf Al erzeugt wird, das mit den Metallen Cr, Cu, Fe, Mg, Mn, Ni, Si, Ti und Zn legiert ist, so daß diese Metalle in die Oxydschicht übergehen und dort unter Umständen Phosphoreszenzzentren zu bilden vermögen. — Der Zusatz von Cr, Cu, Fe oder Mg übt keinen wesentlichen Einfluß auf die Helligkeit des Leuchtens aus. Der Zusatz von Zn scheint, soweit die Versuche hierüber Aufschluß geben, die Helligkeit des Leuchtens zu vermindern. Dagegen erhöht der Zusatz von Mn die Helligkeit des Leuchtens stark. Und zwar steigt die Helligkeit zunächst mit der Größe des Zusatzes stark an und strebt alsbald einem Sättigungswert zu. Dieser übertrifft die Helligkeit des reinen Al₂O₃ um so mehr, je niedriger die Formierungsspannimg und damit die Dicke der Oxydschicht ist. Bei 18 Volt Formierungsspannung ist die Sättigungshelligkeit das 20fache, bei 75 Volt nur noch das 6fache von der des reinen Al₃O₃.