Abstract
Установлен микромеханизм реакции рекомбинации свободных атомов водорода на поверхности Ge(111):
где Ge-атом германия на поверхности кристалла, e-электрон, p-дырка, H=Ge-двухэлектронная химическая связь.
Abstract
The micromechanism of hydrogen atom recombination on the (111) face of germanium occurs according to the scheme
where Ge is a germanium atom on the crystal surface, e is an electron, p is a hole, and H=Ge is a two-electron chemical bond.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Литература
А. Е. Кабанский: Кинетика и катализ,20, 4, 1065 (1979).
Н. М. Савченко, А. Н. Горбань, Н. В. Савченко, В. К. Манько: Укр. физ. ж.,24, 7, 996; 8, 1148 (1979).
А. Е. Кабанский, В. В. Стыров: Ж. эксп. теор. физ.,76, вып. 5, 1803 (1979).
А. Е. Кабанский, В. М. Толмачев: сб. Взаимодействие атомних частиц с твердым телом. Материалы 5 Всесоюзной конференции, 2, стр. 22, 179, Минск 1978.
В. В. Стыров, Ю. И. Тюрин, А. Е. Кабанский: Физ. и техн. полупроводников,11, вып. 11, 2164 (1977).
Ю. И. Беляков, Т. И. Компанеец: Ж. теор. физ.,42, вып. 4, 855; вып. 2, 1278 (1972).
А. П. Зейф: сб. Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников, стп. 22, Наука, Новосибирск 1975.
В. Ф. Харламов, Ю. И. Тюрин, В. В. Стыров, А. Е. Кабанский: Теор. эксп. хим.,14, 6, 788 (1978).
В. А. Фогель: сб. Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников, стр. 149, Наука, Новосибирск 1975.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Харламов, В.Ф. Механизм рекомБинации атомов водорода на поверхности Ge(111). React Kinet Catal Lett 15, 333–338 (1980). https://doi.org/10.1007/BF02098711
Received:
Accepted:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02098711