Journal of thermal analysis

, Volume 30, Issue 4, pp 753–761 | Cite as

Novel studies on the temperature-dependence of electric and photovoltaic properties of thin CdSe films for solar cells

  • M. M. Abou Sekkina
  • A. Tawfik
  • M. I. Abd El-Ati
Article

Abstract

Thin CdSe films were prepared under vacuum at different glass substrate temperatures. The effects of substrate heating and temperature on the X-ray diffraction patterns, electrical, DC current-voltage characteristics and photovoltaic properties were investigated in detail. the results obtained were interpreted mathematically, which led to a hopping conduction mechanism. Valuable semiconducting parameters were evaluated for the thin films investigated, for their useful application in photovoltaic or solar cell industries: surface charge density (4.8×1012 cm−2), thickness of depletion layer (7.4×10−7 cm) and donor concentration (6.5×1018cm−3).

Keywords

Diffraction Pattern Solar Cell Charge Density Surface Charge Glass Substrate 

Zusammenfassung

Dünne Cd-Se-Filme wurden unter Vakuum bei verschiedenen Glassubstrattemperaturen hergestellt. Die Auswirkung der Substraterhitzung und -temperatur auf die röntgendiffraktogramme, die elektrische und Gleichstromspannungscharakteristik und die Sperrschichtphotoeigenschaften wurden detailliert untersucht. Die erhaltenen Ergebnisse wurden mathematisch interpretiert, was zu einem Sprungleitungsmechanismus führte. Halbleiter-Parameter der Untersuchten dünnen Filme wurden für den Gebrauch in der Sperrschicht- und Solarzellen herstellenden Industrie ermittelt: Dichte der Oberflächenladung (4,8·1012 cm−2), Dicke der trägerverarmten Schicht (7,4·10−7 cm) und Donorkonzentration (6,5·1018 cm−3).

Резюме

Тонкие пленки CdSe были п олучены при различны хтемпературах подло жки из стекла. Подробно исследован о влияние нагрева и те мпературы подложки на их рентге нограммы, на электрические, вольт амперные характерис тики и фотоэлектрические с войства. Проведена математическая инте рпретация полученны х результатов, что спос обствовало установл ению прижкового механизм а проводимости. С цель ю использования этих п ленок в фотоэлектрич еских и солнечных батареях, определены их полупр о водниковые характер истики: поверхностна я плотность заряда рав ная 4,8·1012 см−2, толщина обедненного слоя рав ная 7,4·10−7 см и концентрация доноро в равная 6,5·1018 см−3.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. 1.
    F. V. Smallcross. Trans. Metallurg. Soc. AIME., 236, 309 (1966).Google Scholar
  2. 2.
    K. Shemzu, J. Appl. Phys., 4 (1965) 627.Google Scholar
  3. 3.
    V. Sendar and J. Jerhot, Thin Solid Films, 11 (1972) 289.CrossRefGoogle Scholar
  4. 4.
    S. W. Svechnicov, E. L. Shtrum, V. P. Klochcov, S. I. Matchina, L. W. Savlalaova and A. I. Philippova, Thin Solid Films, 11 (1972) 33.CrossRefGoogle Scholar
  5. 5.
    J. G. Simmons, J. Phys. D. Appl. Phys., 4 (1971) 613.CrossRefGoogle Scholar
  6. 6.
    Idem, Phys. Rev., 166 (1968) 912.CrossRefGoogle Scholar
  7. 7.
    Idem, “Hand book of Thin Film Technology”, L. I. Maissel and R. Glang, McGraw-Hill, New York, 1970, Chap. 14.Google Scholar
  8. 8.
    V. Snedar, D. Berkowa and J. Jerhot, “Thin Solid Films”, 9 (1972) 97.CrossRefGoogle Scholar

Copyright information

© Wiley Heyden Ltd., Chichester and Akadémiai Kiadó, Budapest 1985

Authors and Affiliations

  • M. M. Abou Sekkina
    • 1
  • A. Tawfik
    • 1
  • M. I. Abd El-Ati
    • 1
  1. 1.Faculty of ScienceTanta UniversityTantaEgypt

Personalised recommendations