ИССЛЕДОВАНИЕ НЕКОТО РЫХ СЛОЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ Т ВДРДЫХ РАСТВОРОВ И СОЕДИНЕНИЙ НА ОСНОВ Е ИНДИЯ

Abstract

С целью установления возможности образов ания твёрдых растворов по принцип у гетеровалентного замещения между полу проводниковыми соед инениями с недефектной и дефект ной структурами рассмот рены системы A(III)B(V)-A₂(III)B₃(VI) на основе индия-фосфида индия, арсенида индия и анти монида индия, с одной с тороны, и

In₂S₃, In₂Se₃ и In₂Te₃, с другой. Комплексное исследо вание рентгенострук турным, термическим и металл ографическим метода ми показало, что непосре дственно после синте за образуются твёрдые р астворы со структуро й цинковой обманки в си стемах: InP-In₂Se₃ — в интерва ле 50% концентраций исходн ых соединений, InAs-In₂Se₃ — в инт ервале 60% концентраций исходных соединений, InAs-In₂Te₃ — —непрерывные твёрдые растворы.

Измерены некоторые э лектрические свойст ва сплавов в области существован ия твёрдых растворов.

В остальных системах заметная растворимо сть либо полностью отсутству ет, либо ограничивает ся узкой областью вблиз и соединений типа A(III)B(V). В системе индий-сурьм а-теллур открыто ново е соединение с условно й формулой In₄SbTe₃, обладающее структур ой типа каменной соли с параметром решетки р авным 6,12₈ Å. Предварител ьные исследования электр ических характерист ик этого соединения показали, что оно имеет полупроводник овые свойства.

Abstract

In order to determine the possibility of preparing solid solutions on the principle of heterovalent substitution between semi-conducting compounds with undefective and defective structures A(III) B(V)-A₂(III) B₃(VI) systems on the basis of indium-indium phosphide, indium arsenide and indium antimonide on the one hand and In₂S₃, In₂Se₃ and In₂Te₃ on the other, are investigated.

It was found by means of X-ray structure analysis and thermal and metallographical examinations that immediately after the synthesis, solid solutions with the structure of zinc blende are created in the following systems: InP-In₂Se₃ — in the range of 50% concentration of the initial compounds, InAs-In₂Se₃ — in the range of 60% concentration of the initial compounds, InAs-In₂Te₃ — unlimited solid solutions.

Certain electric properties of the alloys within the range of existence of the solid solutions were measured.

Regarding the rest of the systems, observable solubility is either completely missing or is limited within a narrow region near the compounds of the A(III) B(V)-type.

In the indium-antimony-tellurium system a new compound, with empirical formula In₄SbTe₃ was discovered which showed an NaCl-type structure and lattice parameter equal to 6·12₈ Å. Preliminary study of the electrical characteristics concerning this compound leads to the conclusion that it possesses semi-conducting properties.