The distribution of dislocations in slip bands of Fe-3% Si alloy single crystals deformed by bending

Abstract

The distribution of dislocations at the ends of slip bands was studied by etching on surfaces parallel to the slip plane. In these places the slip band is formed by groups of asymmetric dislocation loops several hundred microns wide. The long mixed-type parts of these loops running nearly equidistantly and lying in near planes, are the equilibrium arrangement of dislocations of the same sign in the shear stress gradient. From the results we can judge that the dislocation sources are at larger distances from the ends of the slip bands and that the dislocation groups at the ends of the slip bands are sources of large stress fields.

Abstract

Методом травления по верхностей, параллел ьных плоскости скольжени я, исследовалось распределение дисло каций на концах полос скольжения. Полоса скольжения в у казанных местах образована гр уппами ассиметричны х дислокационных пете ль шириной в нескольк о сот микрон. Длинные ча сти петель смешанног о типа, которые распростран яются почти эквидистантно и лежа т в близких поверхнос тях, могут явиться равновесным расположением дислокаций одного и т ого же знака в градиен те напряжения. Из резуль татов можно заключит ь, что источники дислок аций находятся на дов ольно больших расстояниях от концов полос скольжения и что груп пы дислокаций на конц ах полос скольжения являются источником больших полей напряж ения.