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Ladungsträgerlebensdauer in Siliziumdioden bei Temperaturen zwischen 20°C und 250°C in Abhängigkeit von der injizierten Trägerdichte

  • Kurze Mitteilungen
  • Rapport de la Société Suisse de Physique à Berne du 21 et 22 avril 1972 Autres communications (physique de la matière condensée, physique nucléaire et corpusculaire, physique théorique) voir HPA 45, no 6 (1972) Physique Générale et Appliquée
  • Published:
Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik ZAMP Aims and scope Submit manuscript

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  1. Brown-Boveri-Forschungszentrum, 5401, Baden

    W. Zimmermann

Authors
  1. W. Zimmermann
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Zimmermann, W. Ladungsträgerlebensdauer in Siliziumdioden bei Temperaturen zwischen 20°C und 250°C in Abhängigkeit von der injizierten Trägerdichte. Journal of Applied Mathematics and Physics (ZAMP) 23, 502 (1972). https://doi.org/10.1007/BF01595497

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF01595497

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