Übersicht
Nachdem die Existenz von Exzitonen in PSN-Strukturen mit Hilfe von Lumineszenz-Messungen bereits überzeugend nachgewiesen werden konnte, wird nunmehr deren Wirkung auf die Ladungsträger theoretisch untersucht. Dazu wird die lineare Theorie von Herlet und Spenke in geeigneter Form erweitert und der Einfluß der Exzitonen auf die mittlere freie Trägerdichte und die Spannung der S-Zone näherungsweise berechnet.
Contents
In consequence of the experimental evidence of excitons in PSN-Structures, their influence onto the charge carriers is theoretically analyzed. The linear theory of Herlet and Spenke is expanded in appropriated manner and two characteristic quantities (the mean value of carrier concentration and the voltage of the S-zone) are approximative calculated.
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Wasserrab, T. Über den Einfluß der Exzitonen im Hochstrombereich von PSN-Dioden und Thyristoren. Archiv f. Elektrotechnik 61, 67–71 (1979). https://doi.org/10.1007/BF01580208
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