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The turn-off behavior of FCTh's with surface-gates is studied. The devices investigated in this paper exhibit short turn-off times of less than 300 ns. The anode current, gate voltage and anode voltage are measured under resistive and inductive load. Analytical models are developed to describe the turn-off transients of the FCTh's. Studies of the storage phase including the time-dependent gate current and the tail period including the recombination in thep +-anode region have been perfomed by applying the new models.
Übersicht
Es wird das Abschaltverhalten von FCTh's mit Oberflächen-Gates untersucht. Die verwendeten Bauelemente weisen Abschaltzeiten von weniger als 300 ns auf. Gemessen werden die transienten Verläufe von Anodenstrom, Gatestrom und Anodenspannung bei ohmscher und induktiver Last. Zur Beschreibung des Abschaltverhaltens werden neue analytische Modelle erstellt. Berechnungen der Abschaltverzugsphase unter Berücksichtigung transienter Gatestromverläufe und der Tailphase unter Berücksichtigung der Rekombination in derp +-Anodenzone werden durchgeführt.
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References
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Gerlach, W., Qu, N. & Liao, S.M. Experimental and theoretical study of the turn-off behavior of field-controlled thyristors (FCTh's). Archiv f. Elektrotechnik 75, 359–367 (1992). https://doi.org/10.1007/BF01576106
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF01576106