Zur Bestimmung großer Diffusionslängen in Silizium-Wafern mit der SPV-Methode

Übersicht

Für die Bestimmung der Diffusionslänge mit der Surface-Photo-Voltage (SPV)-Methode wurde ein Auswerteverfahren entwickelt, das den Einfluß der Probenstruktur und der effektiven Lichtabsorption auf das Ladungsträgerprofil berücksichtigt. Es wird gezeigt, daß sich mit diesem Verfahren bei hoher Meßgenauigkeit noch Diffusionslängen, die der Waferdicke entsprechen, mit einer Genauigkeit >25% auflösen lassen.

Contents

A new method for the determination of carrier diffusion length by proper evaluation of the Surface Photo Voltage (SPV)-technique is presented. To obtain better and more specific results, we take into account the carrier profile and the effective absorption of the specimen structure and use a sophisticated and very accurate measurement technique. Diffusion lengths up to the magnitude of the wafer thickness can be determined with an accuracy better than 25%.