Übersicht
Durch Protonenbestrahlung können Rekombinationszentren in Siliziumbauelementen in definierter Tiefe erzeugt werden. Dadurch ergibt sich ein neuer Freiheitsgrad für die Optimierung bipolarer Bauelemente. — Durch den Einsatz von Protonenbestrahlung können bei GTO-Thyristoren geringere Schaltverluste und bei Dioden günstigeres Kommutierungsverhalten erzielt werden. Falls die mit der Wasserstoffimplantation verbundene Bildung energetisch flacher Donatoren nicht zulässig ist, könnte stattdessen He-Bestrahlung eingesetzt werden.
Contents
With proton irradiation, recombination centres in well defined depths of silicon devices can be formed. In this way a new degree of freedom for optimizing the switching behaviour of bipolar silicon devices is obtained. — Proton irradiation enables reduced switching losses of GTO thyristors and improved recovery behaviour of power diodes. If the hydrogen implantation correlated donor formation is not tolerable, He-irradiation may be used.
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Herrn Prof. Dr. phil. nat. W. Gerlach zum 60. Geburtstag gewidmet
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Wondrak, W., Nowak, W.D. & Silber, D. Einsatz von Protonenbestrahlung in der Technologie der Leistungshalbleiter. Archiv f. Elektrotechnik 72, 133–140 (1989). https://doi.org/10.1007/BF01573646
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF01573646