Abstract
A detailed analysis of the dependence of the surface recombination velocitys on the surface potentialΦ s leads to the conclusion that the position of the surface recombination level with respect to the centre of the energy gapE t -E i does not coincide with the valueqΦ s *, while the surface recombination velocitys decreases to half its maximum value. The difference between the two quantities is negligible only when the width of the curves(Φ s ) between the points corresponding to the valuess=1/2s max is greater than 8kT.
Abstract
Подробный разбор зав исимости скорости по верхностной рекомби нацииs от поверхност ного потенциалаΦ s привод ит к заключению, что ме стоположение поверх ностного уровня рекомбинации относительно центра запрещенной зоныE t -E i не совпадает со значени емΦ s , при котором скор ость поверхностной р екомбинацииs уменьшается на полов ину своего максималь ного значения. Разниц ей обеих величин можно пренебречь тол ько в том случае, когда ширина кривойs(Φ s ) меж ду точками, соответствующими зн ачениямs=1/2s max, больше че м 8kT.
Similar content being viewed by others
Literature
Kingston R. H.: Semiconductor Surface Physics, Philadelphia 1957, p. 85 — see also Физика п оверхности полупров одников, Москва 1959, p. 127.
Dousmanis G. C.: Phys. Rev.112 (1958), 369.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Koc, S. On the determination of the position of the energy level of surface recombination centres. Czech J Phys 10, 579–583 (1960). https://doi.org/10.1007/BF01557285
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF01557285