The distribution of dislocations in silicon iron single-crystals grown from the melt

Abstract

The distribution of dislocations in a crystal of an Fe-4.2% Si alloy prepared from the melt is studied microscopically and, by X-ray diffraction after rendering them visible by anodic dissolving. The dislocations are also studied inside the crystal by successively grinding the surface. The density of the dislocations inside the blocks is determined by calculation from microphotos, the density of the dislocations forming the boundaries between the blocks by measuring the angles between the lattices of neighbouring blocks. It is found that the dislocations are distributed very unevenly in the crystal and most of them form complicated boundaries of blocks, similarly as with ionic crystals. The distribution of dislocations is also discussed from the point of view of their formation and conclusions are reached as to the preparation of single crystals having a smaller number of dislocations.

Abstract

Микроскопическим и р ентгено-диφракционн ым методами исследуе тся распределение дислокаций в кристал ле сплава Fe-4,2%Si, выращенно м из расплава, после вы явления дислокаций путем ано дного травления. Расп ределение дислокаци й исследовалось и в глубь кристалла пу тем постепенного отш лиφовывания поверхн ости. Плотность дислокаций внутри бл оков определялась пр и помощи подсчета сле дов на микроφотограφ иях, плотность дислокаци й, составляющих грани цы между блоками — при помощи измерения углов межд у решетками соседних блоков. Установлено, ч то дислокации внутри кристалла рас пределены неравноме рно и что большинство из них создают сложные границы блок ов, подобно как и у ионн ых кристаллов. Найден ное распределение дислокаций обсуждае тся также с точки зрен ия их возникновения и на этой основе выводятся указания д ля выращивания монок ристаллов с пониженн ым количеством дислокаций.