Stationäre thermische Widerstände von Halbleiterbauelementen in Scheibenzellenbauweise

Übersicht

Es wird ein statistisch begründetes Verfahren zur Auswertung von mit der bekannten Wärmedurchflußmethode gemessenen Wärmewiderständen abgeleitet, das es gestattet, genauere und statistisch sicherere Ergebnisse für den Wärmewiderstand von zweiseitig gekühlten Halbleiterbauelementen zu ermitteln. Voraussetzung zur Anwendung ist ein signifikanter, genügend großer Korrelationskoeffizient zwischen dem Summenwiderstand und dem Verhältnis zwischen dem anoden- und dem kathodenseitigen Wärmewiderstand der Grundgesamtheit. Dies ist vor allem dann gegeben, wenn sich die Anzahl der Übergänge (Kontaktwiderstände) auf den beiden Seiten unterscheidet.

Contents

It will be given a statistical based method for evaluation of the thermal resistance measured by the known method of heat transfer to determine the thermal resistance of bothsides cooled semiconductor components more precisely and with an increase of the statistical confidence level. Requirement for application is a significant and sufficient large coefficient of correlation between the total resistance and the ratio between the anode-sided and cathode-sided thermal resistance of the parent population. This is given especially then, if the number of transitions (number of thermal contacts) on both sides is different.