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Zeitliche und örtliche Temperaturverteilung in einem Halbleiterkristall bei impulsförmiger Erwärmung

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Der Temperaturverlauf in einem Halbleiterstab wird berechnet für impulsförmige Erwärmung einer Querschnittsfläche. Die Ergebnisse werden an einer Vierschichtdiode nachgeprüft.

Summary

The temperature propagation in a semiconductor bar is calculated for pulsed heating of a sectional plane. Experiments have been made with a silicon controlled switch (SCS).

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  1. J. Holoch

    Present address: Institut für Höchstfrequenztechnik der Technischen Hochschule Stuttgart, 717 Schwäb. Hall, Gelbinger Case 18, Stuttgart, Deutschland

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    1. J. Holoch
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    Holoch, J. Zeitliche und örtliche Temperaturverteilung in einem Halbleiterkristall bei impulsförmiger Erwärmung. Archiv f. Elektrotechnik 51, 131–140 (1966). https://doi.org/10.1007/BF01407367

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    • DOI: https://doi.org/10.1007/BF01407367

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