Prüfung zweier Verfahren zur Bestimmung von Kontaktspannungen an Halbleitern

Zusammenfassung

Es wird gezeigt, daß die nach dem Thomsonverfahren bestimmten Kontaktspannungen zwischen Metall und Halbleitern (CuO, Cu₂O, Ag J, Ag₂S, Se) dem Betrag nach gleich den Werten sind, die aus der Parallelverschiebung von Emissionskennlinien erhalten werden. — Die an Halbleiteroberflächen häufig auftretenden Ladungsstauungen machen das Glühemissionsverfahren unter den hier eingehaltenen Versuchsbedingungen (Ströme unter 10⁻⁸ Amp.) nicht unverwendbar. — Die an der Oberfläche der Halbleiter gemessenen Kontaktspannungen sind unabhängig von dem Metall, das als Unterlage dient, d. h. auch die untersuchten Halbleiter einschließlich des als Ionenleiter betrachteten Ag J lassen sich in eine Spannungsreihe eingliedern. — Auf die erhaltenen Absolutwerte der Kontaktspannung wird kein Gewicht gelegt, ebensowenig wird zu der Frage Stellung genommen, ob in der Kontaktspannung eine Materialkonstante vorliegt.