Über den Nachweis einer Grenzschicht in Kupferoxydul-Sperrschichtzellen

Zusammenfassung

Es wird gezeigt, daß bei der thermischen Bildung von Kupferoxydul aus Kupfer ein Diffusionsvorgang stattfindet, der ebenfalls zu einer „Reaktion im festen Zustande“, wie die von G. Tammann beschriebene, führt. Die Auffindung und Diskussion verschiedener Zonen von verschiedener Leitfähigkeit führt zu der Feststellung, daß die hypothetische Sperrschicht durch eine Schicht reinsten Oxyduls ohne jede elektrische Leitfähigkeit dargestellt wird. Auch für den Vorderwandeffekt wird eine analoge Deutung gegeben.