Zusammenfassung
Die Leitfähigkeit bei Halbleitern mit stöchiometrischer Unschärfe wird als Folgeerscheinung eines inneren Ionisationseffektes aufgefaßt, bei dem die durch Ionisation aus den Störatomen frei gemachten Elektronen in das Gitter übergehen. Zur quantitativen Erfassung dieser Vorstellung wird die Formel von Saha herangezogen. Für große und kleine Abtrennungsärbeit gibt es zwei gänzlich verschiedene Leitfähigkeitsgesetze, die diskutiert werden.
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Ich hatte dankenswerterweise Gelegenheit, bei der Osram KG. Einblick zu erhalten in umfangreiche Meßergebnisse, gewonnen an Halbleiterwerkstoffen mit hohem positiven und hohem negativen Temperaturkoeffizienten der Leitfähigkeit. Dies war die Anregung zu der vorstehenden Arbeit. Herrn Dr. Wilfried Meyer bin ich für viele Erörterungen und Hinweise zu Dank verpflichtet.
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Möglich, F. Über das Leitfähigkeitsgesetz bei Halbleitern. Z. Physik 109, 503–509 (1938). https://doi.org/10.1007/BF01340329
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF01340329