Zusammenfassung
Durch Messung des Einflusses der Störstellen an Al2O3 und Ta2O5 und Messung des Halleffektes an UO2 und CuO wird der Charakter der Leitfähigkeit dieser Oxyde zu klären versucht.
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Dissertation der Technischen Hochschule Berlin.
Die Arbeit wurde auf Anregung von Prof. Dr. W. Schottky in dem von Prof. Dr. G. Hertz geleiteten Forschungslaboratorium II der Siemenswerke ausgeführt. Beiden Herren habe ich für wertvolle Diskussionen zu danken.
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Hartmann, W. Elektrische Untersuchungen an oxydischen Halbleitern. Z. Physik 102, 709–733 (1936). https://doi.org/10.1007/BF01338539
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