Zum Mechanismus der Hochfrequenzentladung

Zusammenfassung

Zur Klärung des Entladungsmechanismus der Hochfrequenzentladung werden sowohl optische als auch elektrische Messungen angestellt. Es wird gezeigt, daß entgegen früherer Anschauung keine spektralen Intensitätsunterschiede gegenüber einer positiven Gleichstromsäule zu beobachten sind. Weiter ergeben Absorptionsmessungen die gleiche Anzahl angeregter Zustände für die Hochfrequenzentladung wie für die positive Gleichstromsäule. Daraus wird gefolgert, daß stufenweise Anregung zur Erklärung der niedrigen Brennspannung der Hochfrequenzentladung nicht herangezogen werden kann. Nach einer Kritik der Arbeiten von Banerji und Ganguli, die die Langmuir-Sonde auf die Hochfrequenzentladung angewandt haben, werden eigene Sondenmeßergebnisse mitgeteilt. Es lassen sich lediglich über die Elektronentemperaturen genauere Aussagen machen. Die Elektronentemperaturen in der Hochfrequenzentladung stimmen in einem größeren Druckbereich mit denen in der positiven Säule überein. Die Versuchsergebnisse berechtigen abo dazu, den Entladungsmechanismus der Hochfrequenzentladung in analoger Weise wie den der positiven Säule zu erklären.