Der selektive Photoeffekt an Oxydkathoden mit eingebauten Metallatomen

Zusammenfassung

An zusammengesetzten Photokathoden mit im Halbleiter eingebauten Metallatomen (Mischschichten) wird sowohl im Vakuum als auch bei niederen Gasdrucken die von R. Fleischer und P. Görlich früher geschilderte Wanderung des selektiven Maximums von kurzen nach langen Wellenlängen bei beschleunigenden Spannungen bis etwa 2 Volt bestätigt. — Darüber hinaus wird an Zellen mit Mischschichten größter Rotempfindlichkeit eine Rückwanderung des selektiven Maximums bei höheren beschleunigenden Spannungen festgestellt. — Es wird versucht, die Natur dieser Erscheinung zu erforschen. Es zeigt sich, daß Elektronen geringster Eigengeschwindigkeit als Ursache anzusprechen sind. Diese werden in großer Anzahl bereitgestellt, da dem Aufbau der Schicht entsprechend der erhaltene Photoeffekt nicht nur Oberflächeneffekt, sondern auch Tiefeneffekt ist.