Randschichtwechselwirkung und statistische Schwankungen beim Dreielektrodenkristall

Zusammenfassung

Das Problem des Halbleiterrauschens stellt die Forschung vor schwierige Fragen, da sich sehr viele Ursachen hier zu einer Wirkung vereinigen. Die Trennung dieser Ursachen ist der erste Schritt zur Klarstellung der Verhältnisse. Ein wichtiges Mittel hierzu ist die Untersuchung der Frequenzabhängigkeit. Der Dreielektrodenkristall (Transistor) hat nun noch neue Fragen aufgeworfen, von denen eine hier behandelt werden soll. Es handelt sich um die Rauscherhöhung, die durch den Steuerungsmechanismus bedingt ist. Es kann gezeigt werden, daß die Interaktion von Rauschquellen, wie sie durch die beiden Randschichten dargestellt werden, zu einer starken Erhöhung der statistischen Schwankungen in den resultierenden Widerständen führt. Es wird der Schluß gezogen, daß analoge Rauschquellen den interstellaren Emissionszentren zugrunde liegen.