DieK-Kantenstrukturen der Elemente verschiedenerA _III B _v-Verbindungen

Zusammenfassung

Untersucht wurden die Feinstrukturen derK-Absorptionskanten von Ga in GaP, GaAs und GaSb, von As in GaAs und InAs, von Zn in ZnS sowie von reinem Ge. Die Verbindungen kristallisieren alle im gleichen Gitter vom Zinkblende-Typ, das mit dem Diamantgitter des Germaniums verwandt ist. Der Vergleich der Kantenstrukturen lieferte gute übereinstimmung im Sinne der Kronigschen Theorie nur innerhalb der Gruppen ZnS und GaP, GaAs und Ge, InAs und GaSb. In unmittelbarer Nähe der GaK-Kante zeigt sich bei den drei Galliumverbindungen ein Absorptionsverhalten, das den aus elektrischen Messungen gewonnenen Daten qualitativ entspricht.