Zusammenfassung
Ein auf der Basis der Kosseitechnik beruhendes Verfahren wurde vorgestellt, mit dem die lokale VersetzungsdichteN im Intervall von 107...1010 cm−2 im Mikrobereich an der Oberfläche von kristallinen Substanzen bestimmt werden kann. Dazu wird die Breite ausgewählter Kossellinien vermessen und eine Zuordnung der Versetzungsdichte über Eichproben der gleichen Substanz vorgenommen. Neben gerätetechnischen Voraussetzungen müssen dabei bestimmte, die Abbildung des auszuwertenden Kosselreflexes betreffende, geometrische Bedingungen erfüllt sein. Das laterale Auflösungsvermögen der Methode liegt bei 10μm Durchmesser, das Tiefenauflösungsvermögen bei 2μm. Der relative Fehler für die Versetzungsdichte beträgt 30%.
Mit diesem Verfahren wurden erstmals die Dichte und Verteilung der beim Sintern von Kupfer-Kugel-Platte-Modellen und Kugelschüttungen aus Kupfer in den Sinterkontakten durch Selbstaktivierung entstehenden Versetzungen bestimmt.
Summary
A procedure based on the Kossel technique with which the local dislocation density N at the surface of crystalline substances can be determined in the interval from 107...1010 cm−2 in the microvolume was presented, the width of selected Kossel lines was measured and an assignment of the dislocation densities carried out via calibration samples of the same substance. Besides the requirements of instrument technology, certain geometrical conditions concerning the imaging of the Kossel reflex to be evaluated must be fulfilled. The lateral resolution of the method is at 10μm, and the depth resolution at 2μm. The relative error for the dislocation density is 30%.
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Ullrich, H.J., Herenz, A., Friedrich, E. et al. Bestimmung der Versetzungsdichte im Sinterkontaktbereich. Mikrochim Acta 79, 175–191 (1983). https://doi.org/10.1007/BF01303904
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