Neue Abkömmlinge der TiSi₂-Struktur

Zusammenfassung

In Mn-Defektdisiliciden führt Substitution von Mn durch Cr, Fe oder Co zur Ausbildung neuer Phasen, die durch bestimmte Vielfache derc-Achse einer charakteristischen Unterzelle repräsentiert werden. Das Verhältnis Metall/Silicium ist eine Funktion der Valenzelektronenkonzentration. Os₂Ge₃ erweist sich als isotyp mit Os₂Si₃ und gehört damit ebenfalls zu den TiSi₂-Abkömmlingen.

Abstract

Substitution of Mn by Cr, Fe or Co within Mn-defect disilicides leads to a series of new phases characterized by various multiples of thec-axis of the subcell. The metal/silicon ratio depends on the valence electron concentration. Os₂Ge₃ has been found to be isotypic with Os₂Si₃, another derivative of the TiSi₂-structure type.