Über Tantalnitride mit der Zusammensetzung TaN_1.0

Abstract

A tantalum nitride phase with the WC-type structure which formerly was believed to be TaN_0.8–0.9 has been re-detected. This phase is formed preferentially by nitriding tantalum metal powder with ammonia gas at 850° to 1200° C, the reaction products, however, always containing additionally other tantalum nitrides (Ta₂N, ε-TaN, Ta₅N₆). Though this phase, called ϑ-TaN, could not be prepared free from other tantalum nitrides, it could be proved to have a composition corresponding to TaN_1.0. The phase seems to have no homogeneity range if prepared free from contamination with other elements.

Zusammenfassung

Eine früher als TaN_0.8–0.9 beschriebene Tantalnitridphase mit einer Kristallstruktur vom WC-Typ konnte wieder aufgefunden werden. Sie entsteht vorzugsweise beim Nitridieren von Tantalmetallpulver mit NH₃-Gas bei 850 bis 1200° C, jedoch stets nur im Gemisch mit anderen Tantalnitriden (Ta₂N, ε-TaN, Ta₅N₆).Obgleich eine Reindarstellung dieser als ϑ-TaN bezeichneten Phase nicht gelang, konnte indirekt ihre chemische Zusammensetzung mit Sicherheit als der Formel TaN_1.0 entsprechend festgestellt werden. Ein Homogenitätsgebiet meßbarer Breite scheint die Verbindung ϑ-TaN nicht zu haben, wenn sie frei von Verunreinigungen fremder Elemente ist.