Zusammenfassung
Es werden die Prozesse betrachtet, nach denen die Verunreinigungen in den Bodenkristallen, wie auch in denen der Kriechschicht eingeschlossen werden, wenn die Verunreinigung mit dem Grundsalz Mischkristalle mit einem Verteilungskoeffizienten größer als 1 bildet.
Abstract
This paper treats the processes, according to which impurities are enclosed in the bottom crystals, as well as in the crystals of the creeping layer, when impurity and base salt form mixed crystals with a distribution coefficient higher than 1.
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Rajtschev, C., Danailov, G. & Kojtschev, K. Verteilungsmechanismus der Verunreinigungen bei der kriechenden Kristallisation, wenn Mischkristalle mit einem Verteilungskoeffizienten größer als 1 gebildet werden. Monatshefte für Chemie 101, 83–87 (1970). https://doi.org/10.1007/BF00907527
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF00907527