Abkömmlinge der TiSi₂-Struktur — ein neues Bauprinzip

Zusammenfassung

Weitere Beispiele für das Auftreten des neuartigen Bauprinzips der Defektdisilicide werden in den pseudohomogenen Bereichen Rh(Ga,Ge)_2−x und Ir(Ga,Ge)_2−x aufgefunden. Eine vollständige Bestimmung der Struktur und damit der Vervielfachung (n) mit Hilfe von Einkristallen wird für Rh₁₀Ga₁₇, Ir₃Ga₅ und Rh₃₉ (Ga_0,5Ge_0,5)₅₈ gegeben. Ein beschränkter pseudohomogener Bereich wird bei Ru(Ga,Ge)_2−x beobachtet, während im System Mo−Ga−Ge die Verbindungen Mo(Ga_0,3Ge_0,7)₂ und Mo(Ga_0,7Ge_0,3)₂ mit TaSi₂- bzw. TiSi₂-Typ auftreten. Die Abhängigkeit zwischenV. E. K. und Ga-bzw. Ge-Defekt wird diskutiert.

Abstract

Novel examples for the existence of a particular structural pattern shown for defect disilicides have been observed within the pseudo-homogeneous regions of Rh(Ga,Ge)_2−x and Ir(Ga,Ge)_2−x . Structural data, especially the mode of multiplicity (n) of the subcell, have been determined from single crystals for Rh₁₀Ga₁₇, Ir₃Ga₅ and Rh₃₉ (Ga_0,5Ge_0,5)₅₈. A limited domain of pseudo-homogeneity also occurs for Ru(Ga,Ge)_2−x, while in the system Mo−Ga−Ge two ternary phases do exist, namely Mo(Ga_0,3Ge_0,7)₂ having TaSi₂-type and Mo(Ga_0,7Ge_0,3)₂ crystallizing with TiSi₂-type. Relations between theV. E. C. and the amount of the respective Ga- and Ge-defect of the various phases can be established.