Zusammenfassung
Th−Si−Ge-Proben werden entweder durch Heißpressen oder durch Kaltpressen und Abreagieren bei 1200 bis 1300°C hergestellt. Mittels röntgenographischer Analyse und Schmelzpunkts-bestimmungen werden versuchsweise Zustandsdiagramme für Th−Si und Th−Ge aufgestellt. Die Aufteilung der Phasenfelder im Dreistoff: Th−Si−Ge wird für einen Temperaturbereich um rd. 1300°C angegeben. Die Th-reichste Phase im System Th−Ge wird als Th2Ge erkannt und besitzt CuAl2-Struktur mita=7,414 undc=6,081 Å. In Th2Ge erfolgt ein Ge/Si-Austausch bis etwa 60%. Th3Si2 und Th3Ge2 bilden eine lückenlose Mischreihe, ThSi löst fast 80 Mol% ThGe; der Strukturwechsel wird erörtert. Zwischen Th3Si5 und Th3Ge5 besteht trotz Isotypie kein ungestörter Übergang. Die Parameter für die pseudohexagonale Zelle “Th3Ge5” werden ermittelt. α-ThSi2 und α-ThGe2 gehen lückenlos ineinander über. Unter den gewählten Bedingungen zeigt die Mischphase ebenso wie die binären Phasen einen Homogenitätsbereich von rd. 5 At% Th nach der Thorium-reichen Seite zu. In der Phase Th0,9Ge2 (ThGe3,0±0,4) kann ein Ge/Si-Austausch bis etwa 45% erfolgen. Die Möglichkeit der Ausbildung von Phasen mit geordneten Lücken im Gebiete zwischen 33 und 40 At% Th wird diskutiert.
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Stecher, P., Benesovsky, F. & Nowotny, H. Ein Beitrag zum Dreistoff: Thorium-Silicium-Germanium. Monatshefte für Chemie 94, 549–564 (1963). https://doi.org/10.1007/BF00903496
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