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Monatshefte für Chemie / Chemical Monthly

, Volume 113, Issue 10, pp 1107–1118 | Cite as

Polarisation phenomena occurring at Cu/semiconducting Te layer/electrolyte interfaces studied by rapid pulse techniques

  • Nawal A. Darwish
  • Allam M. Allam
Anorganische Und Physikalische Chemie

Abstract

Tellurium films of different thickness are cathodically deposited on copper substrate using sodium tellurite solutions ofpOH 3.95. The kinetics of the primary processes and modes of conduction occurring at the Cu/Te layer/electrolyte interfaces are studied using rapid galvanostatic rectangular pulses. Approximate values for the specific conductance of the surface layer are calculated from the experimental resistance overpotential. Activation over-potentials are explained in view of charge transfer reactions associated with reactions occurring at the electrode/solution interface.

Keywords

Electrochemistry Pulse polarisation technique Tellurium layers 

Polarisationsphänomene an Cu/halbleitende Te-Schicht/Elektrolyt-Phasengrenzen

Zusammenfassung

Tellur-Schichten verschiedener Dicke wurden aus Natriumtelluritlösungen vonpOH 3,95 kathodisch auf Kupfer abgeschieden. Es wurden die Kinetik der Primärprozesse und die Art der Leitung an den Cu/Te-Schicht/Elektrolyt-Phasengrenzen mittels schneller galvanostatischer Rechtwinkel-Pulstechnik untersucht. Dabei wurden angenäherte Werte für die spezifische Leitfähigkeit der Oberflächenschicht aus den experimentellen Widerstands-Überpotentialen errechnet. Die Aktivierungsüberpotentiale werden im Hinblick auf Ladungsübertragungsreaktionen in Verbindung mit Reaktionen an der Phasengrenze Elektrode/Lösung erklärt.

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Copyright information

© Springer-Verlag 1982

Authors and Affiliations

  • Nawal A. Darwish
    • 1
  • Allam M. Allam
    • 1
  1. 1.Chemistry Department, Faculty of ScienceUniversity of CairoGizaEgypt

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