Literatur
Geist, D., u.K. Seiler: Vortr. auf der Physikertagg. Karlsruhe 1951. Phys. Verh.2, 121 (1951).
Shockley, W.: Bell System Techn. J.28, 435 (1949).
Shockley, W.: Electrons and Holes in Semiconductors. D. van Nostrand 1950, S. 315.
Afee, K. B. Mc, E. J. Ryder andW. Shockley: Physic. Rev.83, 650 (1951).
Zener, C.: Proc. Roy. Soc. [London]145, 523 (1934).
Außer von der angelegten Spannung hängt die Feldstärke vom Konzentrationsgradienten der Dotierungssubstanzen in der Übergangszone ab.
Bei der tiefsten Temperatur lag er außerhalb des Meßbereichs der verwendeten Apparatur.
Die Druckabhängigkeit wurde untersucht vonK. B. McAfee, W. Shockley, M. Sparks [Physic. Rev.85, 730 (1952)].
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Geist, D., Seiler, K. Die Temperaturabhängigkeit des Sperrstroms vonp—n-Übergängen in Germanium. Naturwissenschaften 39, 401 (1952). https://doi.org/10.1007/BF00621816
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00621816