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Abbildung vonp-n-Übergängen in Halbleitern mit dem Auflichtelektronenmikroskop

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Literatur

  1. Bartz, G., G. Weissenberg u.D. Wiskott: Radex-Rdsch.1956, H. 4/5, 163. Proc. of the Internat. Conf. on Electron Microscopy in London 1954.

  2. Bartz, G., G. Weissenberg u.D. Wiskott: Der Si-Einkristall wurde uns freundlicherweise von den Bell-Telephone Laboratories Murray-Hill, New Jersey, zur Verfügung gestellt.

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Authors and Affiliations

  1. Wissenschaftliche Abteilung der E. Leitz GmbH., Optische Werke, Wetzlar

    G. Bartz & G. Weissenberg

Authors
  1. G. Bartz
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  2. G. Weissenberg
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Bartz, G., Weissenberg, G. Abbildung vonp-n-Übergängen in Halbleitern mit dem Auflichtelektronenmikroskop. Naturwissenschaften 44, 229 (1957). https://doi.org/10.1007/BF00595783

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