Technical Physics Letters

, Volume 24, Issue 1, pp 22–23

Low-threshold quantum-dot injection heterolaser emitting at 1.84 μm

  • V. M. Ustinov
  • A. R. Kovsh
  • A. E. Zhukov
  • A. Yu. Egorov
  • N. N. Ledentsov
  • A. V. Lunev
  • Yu. M. Shernyakov
  • M. V. Maksimov
  • A. F. Tsatsul’nikov
  • B. V. Volovik
  • P. S. Kop’ev
  • Zh. I. Alferov
Article

DOI: 10.1134/1.1261977

Cite this article as:
Ustinov, V.M., Kovsh, A.R., Zhukov, A.E. et al. Tech. Phys. Lett. (1998) 24: 22. doi:10.1134/1.1261977

Abstract

The use of InAs quantum dots in an InGaAs matrix lattice-matched with an InP substrate can appreciably increase the emission wavelength of quantum-dot lasers. Lasing via quantum-dot states at the 1.84 μm wavelength (77 K) was obtained for the first time at a threshold current density of 64 A/cm2.

Copyright information

© American Institute of Physics 1998

Authors and Affiliations

  • V. M. Ustinov
    • 1
  • A. R. Kovsh
    • 1
  • A. E. Zhukov
    • 1
  • A. Yu. Egorov
    • 1
  • N. N. Ledentsov
    • 1
  • A. V. Lunev
    • 1
  • Yu. M. Shernyakov
    • 1
  • M. V. Maksimov
    • 1
  • A. F. Tsatsul’nikov
    • 1
  • B. V. Volovik
    • 1
  • P. S. Kop’ev
    • 1
  • Zh. I. Alferov
    • 1
  1. 1.A. F. Ioffe Physicotechnical InstituteRussian Academy of SciencesSt. Petersburg