Nano Express

Nanoscale Research Letters

, Volume 5, Issue 3, pp 576-580

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Optical Properties of GaAs Quantum Dots Fabricated by Filling of Self-Assembled Nanoholes

  • Ch. HeynAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung Email author 
  • , A. StemmannAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , T. KöppenAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , Ch. StrelowAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , T. KippAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , M. GraveAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , S. MendachAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung
  • , W. HansenAffiliated withInstitut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung

Abstract

Experimental results of the local droplet etching technique for the self-assembled formation of nanoholes and quantum rings on semiconductor surfaces are discussed. Dependent on the sample design and the process parameters, filling of nanoholes in AlGaAs generates strain-free GaAs quantum dots with either broadband optical emission or sharp photoluminescence (PL) lines. Broadband emission is found for samples with completely filled flat holes, which have a very broad depth distribution. On the other hand, partly filling of deep holes yield highly uniform quantum dots with very sharp PL lines.

Keywords

Quantum dots Molecular beam epitaxy Droplet etching Photoluminescence Atomic force microscopy