Applied Physics B

, Volume 103, Issue 3, pp 603–607

Picosecond pulses with 50 W peak power and reduced ASE background from an all-semiconductor MOPA system

Authors

    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
  • A. Klehr
    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
  • T. Hoffmann
    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
  • A. Liero
    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
  • H. Wenzel
    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
  • G. Erbert
    • Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik im Forschungsverbund Berlin e.V.
Article

DOI: 10.1007/s00340-011-4481-8

Cite this article as:
Schwertfeger, S., Klehr, A., Hoffmann, T. et al. Appl. Phys. B (2011) 103: 603. doi:10.1007/s00340-011-4481-8

Abstract

Using a single-stage all-semiconductor master oscillator-power amplifier system, consisting of a Q-switched distributed Bragg reflector laser as master oscillator and a tapered power amplifier, we generate laser pulses with a length of 80 ps and a peak power of 50 W. The spectral width is less than 1 nm around a center wavelength of 1066 nm. The background of the amplified spontaneous emission is significantly reduced due to a pulsed, instead of continuous-wave operation of the amplifier. The current pulses have a width of approximately 10 ns and a repetition frequency of 1.25 MHz.

Copyright information

© Springer-Verlag 2011