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Détermination rapide et précise du schéma équivalent “petit signal” des transistors à effet de champ

A New method for determining the fet small signal equivalent circuit

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Annals of Telecommunications Aims and scope Submit manuscript

Analyse

Les auteurs présentent une méthode originate de determination des éléments du schéma équivalent petit signal des transistors à effet de champ. Cette méthode permet de déterminer tous les élémentsextrinsèques etintrinsèques des paramètres petit signal, dans une bande de fréquences basses. Cette méthode estrapide etprécise; le schéma équivalent déduit par cette méthode permet d’obtenir un bon accord sur les paramètres de répartition du composant au moins jusqu’à 26,5 GHz.

Abstract

A new method to determine the small signal equivalent circuit of FET’s is proposed. This method consists in a direct determination of both the extrinsic and intrinsic small signal parameters in a low frequency band. This method is fast, accurate and the determined equivalent circuit fits very well the S-parameters at least up to 26.5 GHz.

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Authors and Affiliations

  1. Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs, Université des Sciences et Techniques de Lille Flandres Artois, Ua 287 Cnrs, Bât. P4, 59655 Villeneuve-d’Ascq Cedex

    Gilles Dambrine & Alain Cappy

Authors
  1. Gilles Dambrine
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  2. Alain Cappy
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Dambrine, G., Cappy, A. Détermination rapide et précise du schéma équivalent “petit signal” des transistors à effet de champ. Ann. Télécommun. 43, 274–281 (1988). https://doi.org/10.1007/BF02995088

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